第二个问题回答起来就很复杂了，我自己尝试回答一下。从瓶颈的位置来说，和楼主讲的一样，主要是精密仪器，比如光刻机。在整个制程里，还有其他工艺步骤有瓶颈，不过逐渐国产化了。比如说光刻胶，和 PVD 的溅射靶材。

光刻胶的配方，以及在分子级别的纯度，决定了在 EUV 紫外显影的时候，能否忠实复现 mask 的形状。溅射靶材则讲究纯度，溅射的腔要抽到超高真空，靶材的孔隙里的空气，内部杂质都会影响材料性能。这些方面的发展，国内还在进行中。

人才方面，中国真是不缺聪明人，但是在早二十年的时候，国内人才发展环境不很好，导致了半导体人才大量外流。比如台积电的副总曹敏博士算是我很多届以前的学长，也是复旦微电子毕业的，不过入美籍三十年了，没有为国效力。现在待在国外半导体业界的华人都是很勤奋很勤奋，美国本土优秀人才都不愿意到 fab 待着搞制程，是华人工程师一直很努力地在 fab 里工作。现在国内中年的人才现状是这个情况的结果，希望接下来的人才能被国家好好对待和利用，从长计议。